Ang mga mananaliksik sa Lehigh University sa Bethlehem, Pennsylvania, ay kamakailan lamang na magagawang upang matukoy sa unang pagkakataon ang isang pagtaas sa pagganap sa electrical kondaktibiti ng random na nanowire network nakamit sa pamamagitan ng bahagyang paghihigpit ng nanowire orientation. Ano ang espesyal tungkol sa mga resulta ng pag aaral, gayunpaman, ay na ang mas mabigat na nakaayos na mga pagsasaayos ay hindi labis na gumaganap sa mga random na nakaayos na mga pagsasaayos. Sa kaso ng metal nanowires, ang random orientation ay nagiging sanhi ng isang pagtaas sa kondaktibiti. Ang kasalukuyang Mayo isyu ng journal "Scientific Reports Nature" ay nai publish ang mga resulta ng pag aaral ni Dr. Tansu at ang kanyang koponan sa pananaliksik. Ang gawain ng mga mananaliksik ay nakatuon sa pagbuo ng isang modelo ng computer na simulates isang metal nanowire network na mapabilis ang proseso at configuration ng idealized nanowires. Ang modelo ng grupo ng pananaliksik ni Dr. Tansu ay nagpapatunay ng mas lumang mga resulta ng pananaliksik mula sa mga eksperimentong ulat na naisakatuparan na.
Metal nanowires bilang mga kapalit ng ITO
Sa kasalukuyan, ang indium tin oxide (ITO) ay ang pinaka karaniwang ginagamit na materyal para sa mga transparent na konduktor sa mga flat panel display, PCAP touch screen, solar cell at light emitting diodes. Dahil, bilang karagdagan sa napakataas na kondaktibiti, mayroon din itong mataas na transparency. Gayunpaman, ang teknolohiya na nakabatay sa ITO ay hindi na napapanahon. Sa isang banda, ang materyal ay dahan dahan na nagiging kakaunti, ito ay mahal upang makabuo at napaka malutong, na kung saan ay isang partikular na hindi kanais nais na ari arian para sa aming mga hinaharap na teknolohiya ng ngayon sa larangan ng nababaluktot electronics.
