ਨਵੇਂ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਉਪਕਰਣ ਜਿਵੇਂ ਕਿ ਟੱਚ ਸਕ੍ਰੀਨ, ਲਚਕਦਾਰ ਡਿਸਪਲੇਅ, ਪ੍ਰਿੰਟ ਹੋਣ ਯੋਗ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕਸ, ਫੋਟੋਵੋਲਟਿਕਸ ਜਾਂ ਸਾਲਿਡ-ਸਟੇਟ ਲਾਈਟਿੰਗ ਨੇ ਲਚਕਦਾਰ, ਪਾਰਦਰਸ਼ੀ ਇਲੈਕਟ੍ਰੀਕਲ ਕੰਡਕਟਰਾਂ ਦੇ ਬਾਜ਼ਾਰ ਦੇ ਵਾਧੇ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਾਧਾ ਕੀਤਾ ਹੈ। ਸਾਡੇ ਪਾਠਕ ਪਹਿਲਾਂ ਹੀ ਜਾਣਦੇ ਹਨ ਕਿ ਆਈਟੀਓ (ਇੰਡੀਅਮ ਟਿਨ ਆਕਸਾਈਡ) ਲੰਬੇ ਸਮੇਂ ਤੋਂ ਇੱਕ ਹੱਲ ਨਹੀਂ ਰਿਹਾ ਹੈ। ਨਾਲ ਹੀ, ਇਹ ਕਿ ਹਾਲ ਹੀ ਦੇ ਸਾਲਾਂ ਵਿੱਚ ਆਈਟੀਓ ਵਿਕਲਪ ਵਜੋਂ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੀ ਮੰਗ ਵਿੱਚ ਤੇਜ਼ੀ ਨਾਲ ਵਾਧਾ ਹੋਇਆ ਹੈ। ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਦੇ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ ਅਤੇ ਵਿਸ਼ੇਸ਼ਤਾ ਵਿੱਚ ਹਾਲ ਹੀ ਵਿੱਚ ਹੋਈਆਂ ਤਰੱਕੀਆਂ ਇਹ ਦਰਸਾਉਂਦੀਆਂ ਹਨ ਕਿ ਇਹ ਇੱਕ ਪਾਰਦਰਸ਼ੀ ਕੰਡਕਟਰ ਵਜੋਂ ਬਹੁਤ ਸਾਰੇ ਇਲੈਕਟ੍ਰਾਨਿਕ ਐਪਲੀਕੇਸ਼ਨਾਂ ਲਈ ਦਿਲਚਸਪ ਹੈ।
ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿਧੀਆਂ
ਕਿਉਂਕਿ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਇਸ ਖੇਤਰ ਵਿੱਚ ਲਾਭਦਾਇਕ ਸਾਬਤ ਹੋਇਆ ਹੈ, ਇਸ ਲਈ ਇੱਕ ਉੱਚ-ਗੁਣਵੱਤਾ ਅਤੇ ਨਾਲ ਹੀ ਸਸਤੇ ਉਤਪਾਦਨ ਵਿਧੀ ਦੀਆਂ ਵੱਧ ਤੋਂ ਵੱਧ ਸਕੇਲੇਬਲ ਸੰਭਾਵਨਾਵਾਂ ਦੀ ਮੰਗ ਕੀਤੀ ਜਾ ਰਹੀ ਹੈ। ਹੇਠਾਂ ਦਿੱਤੀ ਗਈ ਸਾਰਣੀ ਵਿੱਚ ਗ੍ਰਾਫਿਨ ਲਈ ਹੁਣ ਤੱਕ ਦੇ ਸਭ ਤੋਂ ਮਹੱਤਵਪੂਰਨ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ ਵਿਧੀਆਂ ਦੀ ਸੂਚੀ ਦਿੱਤੀ ਗਈ ਹੈ।| ਸੰਸ਼ਲੇਸ਼ਣ ਵਿਧੀ || ਸਿਧਾਂਤ || |----|----| | ਮਕੈਨੀਕਲ ਐਕਸਫੋਲੀਏਸ਼ਨ || ਇਕ ਚਿਪਕੂ ਫਿਲਮ ਦੀ ਮਦਦ ਨਾਲ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀ ਉਪਰਲੀ ਪਰਤ ਨੂੰ ਛਿੱਲ ਕੇ ਕਿਸੇ ਢੁਕਵੇਂ ਕੈਰੀਅਰ ਵਿਚ ਤਬਦੀਲ ਕਰ ਦਿਓ || | ਕੈਮੀਕਲ ਐਕਸਫੋਲੀਏਸ਼ਨ || ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦੀਆਂ ਵੱਖ-ਵੱਖ ਪਰਤਾਂ ਦੇ ਵਿਚਕਾਰ ਢੁਕਵੇਂ ਪ੍ਰਤੀਕਰਮਕਾਂ ਦੇ ਅੰਤਰ-ਕਿਰਿਆ ਦੁਆਰਾ, ਅਲਟਰਾਸੋਨਿਕ ਇਲਾਜ ਦੀ ਸਹਾਇਤਾ ਨਾਲ ਘੋਲ ਵਿੱਚ ਗ੍ਰੇਫਿਨ ਫਲੇਕਸ ਪ੍ਰਾਪਤ ਕੀਤੇ ਜਾਂਦੇ ਹਨ || | ਗ੍ਰੈਫਿਨ ਆਕਸਾਈਡ ਦੀ ਕਮੀ || ਪਾਣੀ ਵਿਚਲੇ ਗ੍ਰੇਫਾਈਟ ਆਕਸਾਈਡ ਨੂੰ ਗ੍ਰੇਫਿਨ ਆਕਸਾਈਡ ਤੋਂ ਬਾਹਰ ਕੱਢਣਾ, ਇਸ ਤੋਂ ਬਾਅਦ ਆਕਸੀਜਨ ਯੁਕਤ ਸਮੂਹਾਂ ਨੂੰ ਹਟਾਉਣ ਲਈ ਰਸਾਇਣਕ ਕਮੀ ਕੀਤੀ ਗਈ || | ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ 'ਤੇ ਐਪੀਟਾਕਸੀਅਲ ਦਾ ਵਾਧਾ| ਲਗਭਗ 1000 ਡਿਗਰੀ ਸੈਲਸੀਅਸ ਤੇ ਇੱਕ ਸਿਲੀਕਾਨ ਕਾਰਬਾਈਡ ਕ੍ਰਿਸਟਲ ਦਾ ਥਰਮਲ ਵਿਘਟਨ|| | ਮਿਕਸਡ ਗੈਸ ਫੇਜ਼ ਅਲਹਿਦਗੀ (CVD)| ਇੱਕ ਧਾਤੂ ਦੇ ਸਹਾਰੇ (Cu ਜਾਂ Ni) ਤੇ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਮੋਨੋਲੇਅਰਾਂ ਲਈ ਇੱਕ ਗੈਸੀ ਕਾਰਬਨ ਸਰੋਤ (ਉਦਾਹਰਨ ਲਈ ਮੀਥੇਨ) ਦਾ ਉਤਪ੍ਰੇਰਕ ਵਿਘਟਨ|
CVD Graphene
ਵੈਸੇ, CVD (ਰਸਾਇਣਕ ਵਾਸ਼ਪ ਜਮ੍ਹਾਂ ਹੋਣਾ) ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ ਦੇ ਸਭ ਤੋਂ ਦਿਲਚਸਪ ਤਰੀਕਿਆਂ ਵਿੱਚੋਂ ਇੱਕ ਹੈ (ਹੇਠਾਂ ਸਾਰਣੀ ਦੇਖੋ) ਕਿਉਂਕਿ ਇਹ ਲਗਭਗ ਸੰਪੂਰਨ ਗ੍ਰਾਫੀਨ ਪੈਦਾ ਕਰਦਾ ਹੈ।| ਗ੍ਰਾਫਿਨ ਸਮੱਗਰੀ || ਇਲੈਕਟਰ । ਕਾਰਕ || ਪਾਰਦਰਸ਼ਤਾ || |----|----|----| | CVD-G|280 Ω/ਵਰਗ ਮੀਟਰ| 80% | | CVD-G|350 Ω/sq|90%| | CVD-G|700 Ω/sq|80%|ਇਸ ਸੰਸਲੇਸ਼ਣ ਵਿਧੀ ਦੇ ਨਾਲ, ਘੱਟ ਬਿਜਲਈ ਪ੍ਰਤੀਰੋਧਤਾ ਦੇ ਨਾਲ ਸਿੱਟੇ ਵਜੋਂ ਹੋਣ ਵਾਲੀ ਪਾਰਦਰਸ਼ਤਾ ਕਾਫੀ ਜ਼ਿਆਦਾ (80%) ਸੀ।
