Processo di produzione del grafene
Sostituzione ITO

Nuovi dispositivi elettronici come touch screen, display flessibili, elettronica stampabile, fotovoltaico o illuminazione a stato solido hanno portato a un rapido aumento della crescita del mercato dei conduttori elettrici flessibili e trasparenti. I nostri lettori sanno già che l'ITO (ossido di indio-stagno) ha da tempo cessato di essere una soluzione. Inoltre, la domanda di grafene come sostituto ITO è aumentata notevolmente negli ultimi anni. I recenti progressi nella sintesi e caratterizzazione del grafene mostrano che è interessante per molte applicazioni elettroniche come conduttore trasparente.

Metodi di produzione del grafene

Poiché il grafene ha dimostrato di essere utile in questo settore, si cercano sempre più possibilità scalabili di un metodo di produzione di alta qualità e allo stesso tempo economico. La seguente tabella elenca i metodi di sintesi più importanti per il grafene fino ad oggi.| Metodo di sintesi| Principio| |----|----| | Esfoliazione meccanica | Con l'aiuto di una pellicola adesiva, staccare lo strato superiore di un cristallo di grafite e trasferirlo su un supporto adatto | | Esfoliazione chimica | Per intercalazione di reagenti adatti tra i singoli strati di un cristallo di grafite, si ottengono scaglie di grafene in soluzione con l'aiuto del trattamento ad ultrasuoni | | Riduzione dell'ossido di grafene | Esfoliazione dell'ossido di grafite in acqua a ossido di grafene, seguita da riduzione chimica per rimuovere i gruppi ossigenati | | Crescita epitassiale su carburo di silicio| Decomposizione termica di un cristallo di carburo di silicio a circa 1000 gradi C.| | Isolamento in fase gassosa mista (CVD)| Decomposizione catalitica di una sorgente di carbonio gassoso (ad esempio metano) in monostrati di grafene su un supporto metallico (Cu o Ni)|

Grafene CVD

A proposito, CVD (deposizione chimica da vapore) è uno dei metodi più interessanti di sintesi del grafene (vedi tabella sotto) perché produce grafene quasi perfetto.Graphene Material Elettr. FattoreTrasparenza
CVD-G280 Ω/mq80%
CVD-G350 Ω/sq90%
CVD-G700 Ω/mq80%