A pennsylvaniai Betlehemben található Lehigh Egyetem kutatói a közelmúltban először tudták azonosítani a véletlenszerű nanohuzal-hálózatok elektromos vezetőképességének növekedését, amelyet a nanohuzal-orientáció enyhe korlátozásával értek el. A vizsgálati eredmények különlegessége azonban az, hogy az erősebben elrendezett konfigurációk nem teljesítenek túl a véletlenszerűen elrendezett konfigurációkon. Fém nanohuzalok esetében a véletlenszerű orientáció növeli a vezetőképességet. A "Scientific Reports Nature" folyóirat aktuális májusi száma közzétette Dr. Tansu és kutatócsoportjának vizsgálati eredményeit. A kutatók munkája egy olyan számítógépes modell kifejlesztésére összpontosít, amely egy fém-nanohuzal hálózatot szimulál, amely felgyorsítja az idealizált nanohuzalok folyamatát és konfigurációját. Dr. Tansu kutatócsoportjának modellje megerősíti a már elvégzett kísérleti jelentések régebbi kutatási eredményeit.
Fém nanohuzalok, mint ITO helyettesítők
Jelenleg az indium-ón-oxid (ITO) a leggyakrabban használt anyag átlátszó vezetőkhöz síkképernyős kijelzőkben, PCAP érintőképernyőkben, napelemekben és fénykibocsátó diódákban. Mivel a nagyon magas vezetőképesség mellett nagy átláthatósággal is rendelkezik. Az ITO-alapú technológia azonban már nem naprakész. Egyrészt az anyag lassan szűkössé válik, drága az előállítása és nagyon törékeny, ami különösen nemkívánatos tulajdonság a rugalmas elektronika területén a mai jövőbeli technológiáink számára.
