ग्राफीन बड़े क्षेत्र के लचीले इलेक्ट्रॉनिक्स के लिए नई अद्भुत सामग्री है। विशेष रूप से कठिन और लचीला, क्योंकि यह हीरे, कोयला या पेंसिल लीड के ग्रेफाइट का एक रासायनिक रिश्तेदार है - केवल बेहतर है, क्योंकि यह बिजली और गर्मी को बहुत अच्छी तरह से संचालित करता है और बेहद लचीला है। इसके अलावा, केवल एक परमाणु परत के साथ, यह ब्रह्मांड में सबसे पतली सामग्रियों में से एक है - एक मिलीमीटर मोटी के दस लाखवें हिस्से से भी कम। और इसलिए कई संभावित अनुप्रयोगों के लिए उपयुक्त है।
रासायनिक वाष्प निक्षेपण (सीवीडी) प्रक्रिया
हालांकि, इस आवेदन के लिए अक्सर सिद्ध विनिर्माण प्रक्रियाओं की कमी होती है। हालांकि, ग्राफीन के बड़े पैमाने पर संश्लेषण के लिए पहले से ही विभिन्न तरीके हैं। रासायनिक वाष्प जमाव आशाजनक साबित हुआ है। प्रारंभिक सामग्री, कार्बोनेशियस गैस (तथाकथित अग्रदूत), एक सब्सट्रेट पर पारित होती है और रासायनिक रूप से विघटित होती है, जिससे ग्राफीन को ठोस-राज्य फिल्म के रूप में जमा किया जाता है, यानी एक नई परत बनती है।
तथाकथित अग्रदूत आमतौर पर थर्मल रूप से अलग होते हैं। सब्सट्रेट को गर्म करके। हालांकि, यह प्रतिबंध की ओर जाता है कि यह एक सब्सट्रेट होना चाहिए जो गर्मी भार का सामना कर सकता है। हालांकि, अब इन नकारात्मक प्रभावों को कम करने के लिए सीवीडी प्रक्रिया के विभिन्न संस्करण हैं।
सामान्य सीवीडी विधियां
यहां सामान्य सीवीडी विधियों का एक संक्षिप्त अवलोकन है।
- एपीसीवीडी: वायुमंडलीय दबाव सीवीडी। यहां, विशिष्ट कामकाजी तापमान 400-1300 डिग्री सेल्सियस है
- एलपीसीवीडी: कम दबाव सीवीडी। यहां, विशिष्ट कामकाजी तापमान 500-1000 डिग्री सेल्सियस है
- पीईसीवीडी: प्लाज्मा एन्हांस्ड सीवीडी। यहां, विशिष्ट कामकाजी तापमान 200-500 डिग्री सेल्सियस है
- एएलडी: परमाणु परत जमाव। एक चक्रीय प्रक्रिया जो विभिन्न चक्रों के कारण एक सटीक परत मोटाई प्राप्त करना आसान बनाती है।
- एचएफसीवीडी प्रक्रिया। यहां, विशिष्ट कामकाजी तापमान 150-1100 डिग्री सेल्सियस है
रासायनिक वाष्प जमाव (सीवीडी) अभी भी ग्राफीन का उत्पादन करने का सबसे प्रभावी तरीका है। फिर भी, 100 प्रतिशत इष्टतम नहीं है। इसलिए, प्रक्रिया को बेहतर बनाने और विश्वसनीय बड़े पैमाने पर उत्पादन को सक्षम करने के लिए विभिन्न सीवीडी विधियों को विकसित किया जाना जारी है।
