Los nuevos dispositivos electrónicos como pantallas táctiles, pantallas flexibles, electrónica imprimible, energía fotovoltaica o iluminación de estado sólido han llevado a un rápido aumento en el crecimiento del mercado de conductores eléctricos flexibles y transparentes. Nuestros lectores ya saben que ITO (óxido de indio y estaño) hace tiempo que dejó de ser una solución. Además, que la demanda de grafeno como sustituto de ITO ha aumentado considerablemente en los últimos años. Los avances recientes en la síntesis y caracterización del grafeno muestran que es interesante para muchas aplicaciones electrónicas como conductor transparente.
Métodos de producción de grafeno
Debido a que el grafeno ha demostrado ser útil en esta área, se buscan posibilidades cada vez más escalables de un método de producción de alta calidad y al mismo tiempo económico. La siguiente tabla enumera los métodos de síntesis más importantes para el grafeno hasta la fecha.| Método de síntesis| Principio| |----|----| | Exfoliación mecánica| Con la ayuda de una película adhesiva, despegue la capa superior de un cristal de grafito y transfiérala a un portador adecuado| | Exfoliación Química| Mediante la intercalación de reactivos adecuados entre capas individuales de un cristal de grafito, las escamas de grafeno se obtienen en solución con la ayuda de un tratamiento ultrasónico| | Reducción del óxido de grafeno | Exfoliación de óxido de grafito en agua a óxido de grafeno, seguida de reducción química para eliminar grupos oxigenados | | Crecimiento epitaxial en carburo de silicio| Descomposición térmica de un cristal de carburo de silicio a aprox. 1000 grados C.| | Aislamiento en fase gaseosa mixta (CVD)| Descomposición catalítica de una fuente de carbono gaseoso (por ejemplo, metano) en monocapas de grafeno sobre un soporte metálico (Cu o Ni)|
Grafeno CVD
Por cierto, CVD (deposición química de vapor) es uno de los métodos más interesantes de síntesis de grafeno (ver tabla a continuación) porque produce grafeno casi perfecto.| Material de grafeno| Electr. Factor| Transparencia| |----|----|----| | CVD-G|280 Ω/m²| 80%| | CVD-G|350 Ω/sq|90%| | CVD-G|700 Ω/sq|80%|Con este método de síntesis, la transparencia resultante con baja resistencia eléctrica fue bastante alta (80%).
