石墨烯是大面积柔性电子学的新奇材料。特别坚硬和有弹性，因为它是钻石、煤或铅笔芯石墨的化学亲戚 - 只会更好，因为它导电和导热非常好，并且非常灵活。此外，它只有一个原子层，是宇宙中最薄的材料之一 - 不到百万分之一毫米厚。因此适用于多种可能的应用。
化学气相沉积 （CVD） 工艺
然而，对于这种应用，通常仍然缺乏经过验证的制造工艺。然而，大规模合成石墨烯的方法已经多种多样。化学气相沉积已被证明是有前途的。起始材料碳质气体（所谓的前体）通过基底并化学分解，从而石墨烯沉积为固态薄膜，即形成新层。
所谓的前体通常是热拆卸的。通过加热基材。但是，这导致了它必须是可以承受热负荷的基板的限制。然而，现在CVD程序有不同的变体来减少这些负面影响。
常见的CVD方法
以下是常见 CVD 方法的简要概述。
- APCVD：大气压CVD。这里的典型工作温度为 400–1300 °C
- LPCVD：低压CVD。这里的典型工作温度为 500–1000 °C
- PECVD：等离子增强CVD。这里的典型工作温度为 200–500 °C
- 原子层沉积：原子层沉积。一种循环工艺，由于不同的循环，更容易获得精确的层厚。
- HFCVD 程序。这里的典型工作温度为 150–1100 °C
化学气相沉积（CVD）仍然是生产石墨烯的最有效方法。不过，不是100%最佳。因此，不断开发各种CVD方法，以改进工艺并实现可靠的大规模生产。
