নতুন ইলেকট্রনিক ডিভাইস যেমন টাচ স্ক্রিন, নমনীয় ডিসপ্লে, মুদ্রণযোগ্য ইলেকট্রনিক্স, ফোটোভোলটাইকস বা সলিড-স্টেট লাইটিংয়ের ফলে নমনীয়, স্বচ্ছ বৈদ্যুতিক কন্ডাক্টরগুলির বাজার বৃদ্ধি দ্রুত বৃদ্ধি পেয়েছে। আমাদের পাঠকরা ইতিমধ্যে জানেন যে আইটিও (ইন্ডিয়াম টিন অক্সাইড) দীর্ঘদিন ধরে সমাধান হিসাবে বন্ধ হয়ে গেছে। এছাড়াও, সাম্প্রতিক বছরগুলিতে আইটিও বিকল্প হিসাবে গ্রাফিনের চাহিদা দ্রুত বৃদ্ধি পেয়েছে। গ্রাফিনের সংশ্লেষণ এবং বৈশিষ্ট্যের সাম্প্রতিক অগ্রগতি দেখায় যে এটি স্বচ্ছ কন্ডাক্টর হিসাবে অনেক ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনের জন্য আকর্ষণীয়।
গ্রাফিন উত্পাদন পদ্ধতি
যেহেতু গ্রাফিন এই অঞ্চলে দরকারী বলে প্রমাণিত হয়েছে, তাই উচ্চ মানের এবং একই সময়ে সস্তা উত্পাদন পদ্ধতির আরও বেশি স্কেলেবল সম্ভাবনা গুলি অনুসন্ধান করা হচ্ছে। নিম্নলিখিত সারণীটি আজ অবধি গ্রাফিনের জন্য সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ সংশ্লেষণ পদ্ধতিগুলি তালিকাভুক্ত করে।| সংশ্লেষণ পদ্ধতি | মূলনীতি | |----|----| | যান্ত্রিক এক্সফোলিয়েশন | একটি আঠালো ফিল্মের সাহায্যে, গ্রাফাইট স্ফটিকের উপরের স্তরটি খোসা ছাড়িয়ে একটি উপযুক্ত ক্যারিয়ারে স্থানান্তর করুন । | রাসায়নিক এক্সফোলিয়েশন | গ্রাফাইট স্ফটিকের পৃথক স্তরগুলির মধ্যে উপযুক্ত রিএজেন্টগুলির আন্তঃসংযোগের মাধ্যমে, গ্রাফিন ফ্লেক্সগুলি আল্ট্রাসোনিক চিকিত্সার সাহায্যে দ্রবণে পাওয়া যায়। | গ্রাফিন অক্সাইড হ্রাস | পানিতে গ্রাফাইট অক্সাইডকে গ্রাফিন অক্সাইডের সাথে এক্সফোলিয়েশন, তারপরে অক্সিজেনযুক্ত গ্রুপগুলি অপসারণের জন্য রাসায়নিক হ্রাস | সিলিকন কার্বাইডের উপর এপিটাক্সিয়াল বৃদ্ধি | সিলিকন কার্বাইড স্ফটিকের তাপীয় পচন প্রায় 1000 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডে। | মিক্সড গ্যাস ফেজ আইসোলেশন (সিভিডি) | ধাতব সাপোর্টে (সিইউ বা নি) গ্রাফিন মোনোলেয়ারগুলিতে একটি গ্যাসীয় কার্বন উত্স (যেমন মিথেন) এর অনুঘটক পচন
CVD Graphene
যাইহোক, সিভিডি (রাসায়নিক বাষ্প জমা) গ্রাফিন সংশ্লেষণের অন্যতম আকর্ষণীয় পদ্ধতি (নীচের সারণী দেখুন) কারণ এটি প্রায় নিখুঁত গ্রাফিন উত্পাদন করে।| গ্রাফিন উপাদান | বৈদ্যুতিক। ফ্যাক্টর | স্বচ্ছতা | |----|----|----| | সিভিডি-জি|২৮০ Ω/বর্গমিটার| 80% | | সিভিডি-জি|৩৫০ Ω/বর্গ|৯০%| | সিভিডি-জি|৭০০ Ω/বর্গ|৮০%|এই সংশ্লেষণ পদ্ধতির সাথে, কম বৈদ্যুতিক প্রতিরোধের সাথে ফলস্বরূপ স্বচ্ছতা বেশ বেশি ছিল (80%)।
